ダイボンディング

Besi社のダイボンダーは、

  • ハイブリッドボンディング
  • サーマルコンプレッションボンディング
  • フリップチップボンディング
  • マルチモジュールボンディング
  • エポキシダイボンディング
  • はんだダイボンディング
  • 焼結ダイボンディング etc…

発展し続ける半導体ダイボンディング工程において必要とされるすべてのプロセスに最適なラインナップがございます。

ハイブリッドボンディング

HYBRID BONDING

 3D実装向け販売実績
 世界No.1

   ・搭載精度+/-100nm

   ・超高精度C2Wハイブリッドボンダー

   ・クリーンクラス1対応

   ・EFEMとのドッキング可能

サーマルコンプレッションボンディング

THERMAL COMPRESSION BONDING

 次世代のTCプロセス
 フラックスレスTCB

   ・搭載精度+/-0.5μm
    最大荷重1kN

   ・プラズマクリーニングと
    イナートチャンバーを用いた
    フラックスレスTCボンディング

   ・リングフレーム、JEDECトレー、
    テープリールなど多種チップ供給対応

   ・EFEMとのドッキング可能

フリップチップボンディング

FLIP CHIP BONDING

 高速&高搭載精度
 世界トップシェアFCボンダ

   ・搭載精度+/-3μm (CHAMEO advanded)
    最高速度16,000UPH (FC QUANTUM hs)

   ・12インチウェハレベル
    ファンアウトパッケージング
    Chip to Waferボンディング

   ・フェイスアップ、フェイスダウン
    両プロセスをレシピ制御

   ・1パスで異種チップ搭載を可能とする
    マルチチップハンドリング

マルチモジュールボンディング

MULTI MODULE BONDING

 マルチモジュールボンダー
 世界導入実績No.1

   ・搭載精度+/-3μm (evo advanced)

   ・フリップチップ100x100mm対応

   ・マルチディスペンス、加熱搭載、
    UVキュア、高荷重焼結プリプレスetc...
    フレキシブルに要求に対応

   ・1パスでリングフレーム、T&R、
    チップトレーなど異なる供給形態で
    異種チップ搭載を可能とする
    マルチモジュールハンドリング

エポキシダイボンディング

EPOXY DIE BONDING

 超高速ボンディング
 i機能によりzero yield loss

   ・搭載精度+/-18μm
    最高速度18,500UPH (hSix)

   ・非接触高さ測定(コンフォーカルセンサ)
    高さ測定データフィードバックにより
    安定したディスペンス形状とBLT

   ・チップ搭載後の搭載位置、BLT、
    フィレット検査も可能

   ・自動ボンドヘッド傾き調整、
    コレット・突き上げ治具表面検査など
    装置、治具起因の不良率低減対策

はんだダイボンディング

SOFT SOLDER DIE BONDING

 ハイパワーパッケージ向け
 はんだダイボンダー

   ・搭載精度+/-50μm

   ・特許取得フォーミングガスフロー制御
    最高パフォーマンスの
    エナジーコストセービング

   ・100x300mmフレーム、
    12インチウェハ供給にも対応

   ・チップ搭載後のBLT、チルト検査(開発中)

   ・最大荷重300N(開発中)

Semiconductor, and Beyond

Woyton Technologies株式会社

〒231-0004

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